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本发明公开了一种基于二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件以及其制备方法。该晶圆级突触电子阵列器件包括以下要素：晶圆级底电极、作为功能层的二维半导体材料，以及位于该材料顶部的顶部电极。这一晶圆级设计方法适用于制备晶圆级阵列器件，其兼容尺寸范围从...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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