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一种含有量子阱的外延片、蓝绿双色Micro‑LED阵列芯片及其制备方法。该外延片，包括：由下至上依次设置的蓝宝石衬底、第一掺杂层、蓝光多量子阱层、第二掺杂层、第三掺杂层、绿光多量子阱层和第四掺杂层；所述第一掺杂层、蓝光多量子阱层、第二掺杂层...
该专利属于清华大学深圳国际研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学深圳国际研究生院授权不得商用。

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