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本公开属于芯片领域，具体涉及一种电容器及存储器。该电容器可包括：第一电极层；第二电极层；以及钛酸锶介电层，形成在所述第一电极层和所述第二电极层之间，其中，所述钛酸锶介电层包括N层依次堆叠的钛酸锶膜层，N为大于或等于3的正整数，自所述钛酸锶介...
该专利属于深圳市昇维旭技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市昇维旭技术有限公司授权不得商用。

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