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本发明涉及射频超宽带CMOS低噪声放大器的制造方法，包括双谐振负载网络结构、共栅极结构和负载R‑L‑C结构，放大级采用三谐振网络匹配技术，其中M1、M2、M3均为NMOS管，电路的输出级采用源跟随器结构，电路在整个带宽范围内实现输入阻抗匹配...
该专利属于无锡达晶晟集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡达晶晟集成电路有限公司授权不得商用。

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