温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种TSV结构及其形成方法，方法包括：以硬掩膜层为掩膜，形成贯穿掩膜开口下方的第二复合介电层、第二基底以及第一复合介电层的贯穿通孔，贯穿通孔的底部暴露出互连层；在贯穿通孔的底部和侧壁、掩膜开口的侧壁以及硬掩膜层上形成种子层；在位于硬掩膜层的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。