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本申请提供了一种集成沟道二极管的功率器件，包括依次层叠设置的漏极金属层、碳化硅N型衬底层、碳化硅N型外延层、碳化硅N型电流扩展层和源极金属层；所述碳化硅N型电流扩展层内嵌设有控制沟槽栅极和辅助沟槽栅极；所述辅助沟槽栅极底部设有碳化硅P型屏蔽...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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