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本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括衬底、依次设置在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极。还包括第一连接孔，且至少有源区内设置有第一连接孔，第一连接孔的宽度小于源电极或漏电极的宽...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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