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本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管中缓冲层中的每一层子缓冲层具有不同的膜层厚度、生长速率、退火温度、退火时间以及氧含量，以形成致密程度和晶格大小渐变的缓冲层结构，并且采用逐层退火的方式减少缓冲层内的缺陷密度，提...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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