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本申请提供一种外延生长方法和P型硅外延结构，该方法包括：提供一P型半导体衬底；将所述P型半导体衬底在氢气氛围下进行第一次高温热处理，通入第一硅基气体并以磷烷作为掺杂气体在所述P型半导体衬底上生长重掺磷外延硅层；在氢气氛围下进行第二次高温热处...
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