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本发明提供一种可实现静压测量的谐振式差压传感器及制备方法,所述差压传感器包括自上而下的盖板结构、绝缘体上硅结构也即是SOI结构和导压结构;其中盖板结构包括两个小盖板即第一小盖板和第二小盖板和一个大盖板,SOI结构包括器件层、埋氧层和衬底层。...该专利属于中国科学院空天信息创新研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院空天信息创新研究院授权不得商用。
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本发明提供一种可实现静压测量的谐振式差压传感器及制备方法,所述差压传感器包括自上而下的盖板结构、绝缘体上硅结构也即是SOI结构和导压结构;其中盖板结构包括两个小盖板即第一小盖板和第二小盖板和一个大盖板,SOI结构包括器件层、埋氧层和衬底层。...