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本发明提供一种高Sc掺杂的铁电材料及其制备方法和应用、铁电电容器。所述铁电材料中Sc的掺杂浓度大于30％，且共掺有In、Ga中的至少一种；所述高Sc掺杂的铁电材料为纤锌矿结构。本发明通过引入In和/或Ga，抑制铁电材料在高Sc掺杂中转变为岩...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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