温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括其中形成多个闪存单元的第一区域和其中形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和设置在两个存储晶体管之间的选通晶体管。根据本公开的用于制造半导体装...
该专利属于北京磐芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京磐芯微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。