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所公开的技术总体上涉及形成包括氮化钛(TiN)的薄膜，并且更特别地说，涉及通过周期性气相沉积工艺形成包括(TiN)的薄膜。在一个方面，通过周期性气相沉积工艺形成包括氮化钛(TiN)的薄膜的方法包括通过使半导体衬底暴露于各自包括在Ti前体流量...
该专利属于尤金纳斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尤金纳斯股份有限公司授权不得商用。

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