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一种降低TopCon电池中多晶硅层十字隐裂率的方法技术
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文档序号:40047577
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本发明涉及光伏电池技术领域,尤其涉及一种降低TopCon电池中多晶硅层十字隐裂率的方法,包括:步骤S.1:提供一个反应腔室,对反应腔室内部通入氮气并提升反应腔室温度;步骤S.2:将硅片随氮气输送至反应腔室内部;步骤S.3:停止氮气的通入,并...
该专利属于无锡松煜科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡松煜科技有限公司授权不得商用。
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