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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及改善其阈值电压漂移的方法。高电子迁移率晶体管包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次层叠设置的沟道层和势垒层，所述沟道层和/或所述势垒层是经过掺杂选定掺杂元素后形成的，并且，...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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