温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和隔离区，所述器件区和隔离区的所述衬底上形成有凸立的鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相垂直；在所述鳍部露出的所述衬底上形成第一隔离材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。