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本发明提供了一种BH‑EML单片集成光放大器的芯片及其制备方法，出光端为SOA结构，中间为EAM结构，末端为LD结构；SOA结构由下至上依次为：衬底（1）、N‑InP buffer层（2）、第一InGaAsP SCH层（31）、LD‑MQW...
该专利属于福建中科光芯光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建中科光芯光电科技有限公司授权不得商用。

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