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本发明公开一种解决硅片退火舟印的方法，步骤为：一、启动退火炉，通入保护性气体，升温至680~720℃；二、通过摇片器将清洗后的洁净硅片的参考面摇至正上方，使用自动推片装置将硅片从片盒中倒入石英舟，将石英舟放入退火炉中恒温区680~720℃保...
该专利属于麦斯克电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过麦斯克电子材料股份有限公司授权不得商用。

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