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描述包含半导体晶体管的设备及其形成方法。一种实例设备包含：有源区，其在半导体衬底中；隔离区，其经配置以隔离所述有源区；及栅极结构，其在所述有源区上。所述隔离区包含介电材料，其中在所述介电材料中添加金属材料。所述栅极结构具有与所述隔离区重叠的...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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