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本公开涉及一种检测碳化硅晶体生长的系统，该系统包括：筒状立式反应腔体、温度测量单元和气压测量单元；温度测量单元包括温度检测装置和传感装置，传感装置与温度检测装置信号连接，用以根据温度检测装置和传感装置测得的温度信号进行对比进而调整温度检测装...
该专利属于浙江兆晶新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江兆晶新材料科技有限公司授权不得商用。

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