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一种多酸衍生的1T相二硫化钼复合硫化钴纳米阵列结构的制备方法和应用，它涉及一种纳米阵列结构的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的1T‑MoS<subgt;2</subgt;存在条件苛刻、成本高、产物收率低的问题。方...
该专利属于辽宁工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁工程技术大学授权不得商用。

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