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本发明提供一种半导体器件及其制备方法、电子装置，方法包括：提供衬底，形成沟槽，在沟槽的底部和侧壁以及衬底的表面上形成栅极介电层；形成栅极材料层，以填充沟槽，并覆盖衬底的表面上的栅极介电层；刻蚀栅极材料层，停止于栅极介电层；对栅极材料层进行处...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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