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本发明涉及一种ＳＯＩ衬底的制造方法及ＳＯＩ衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造ＳＯＩ衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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