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本申请涉及功能材料领域，公开了一种自供电异质结及其制备方法，本申请的自供电异质结，由下至上依次包括衬底、n型二维半导体材料层、二维铁电材料层和p型二维半导体材料层；二维铁电材料层与n型二维半导体材料层的界面处的内建电场方向、二维铁电材料层与...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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