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本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法，沟槽MOS晶体管器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁和底壁上形成有栅氧层，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述栅极沟槽的侧壁和底壁，所...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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