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本申请公开了一种晶体管器件及其制备方法；晶体管器件包括衬底、外延层、介质层和栅极金属；外延层设于衬底的一侧；介质层设于外延层远离衬底的一侧；介质层包括栅极区域，栅极区域设有凹槽，凹槽的底面位于外延层远离衬底的表面上；沿着介质层指向衬底的方向...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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