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本发明提出了一种功率半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述器件包括衬底，包括源区，所述源区包括沟槽牺牲区和元胞区，且所述沟槽牺牲区设置在所述源区的横向和纵向方向上，并贯穿所述源区；外延层，设置在所述衬底上，且所述外延层的掺杂浓度小...
该专利属于合肥海图微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥海图微电子有限公司授权不得商用。

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