温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法。本发明通过一种完全自对准的掩膜形成方式，使碳化硅MOSFET器件的基区、源区、体区、沟道区的对准偏差均为0，可有效缩减平面型碳化硅MOSFET器件的元胞尺寸，从而提高其元胞密度。根...
该专利属于安徽芯塔电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽芯塔电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。