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本发明公开了一种P型GaN欧姆接触结构的制备方法、P型GaN欧姆接触结构及应用。通过在P型GaN表面生长或沉积一层薄的高纯的Mg层来制备P型GaN欧姆接触结构，之后对样品进行退火酸洗处理，并沉积金属电极，能够显著防止GaN的氧化，降低P型G...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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