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本发明提供一种改善重掺砷杂质管道的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及熔体中的对流，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，不会在高掺杂浓度长晶过程中形成中心富集进而不...
该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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