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一种存储电路、存储器及其访问方法、电子设备,所述存储电路包括:读晶体管和写晶体管,其中,所述读晶体管包括:第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第二栅电极;所述第一源电极连接读位线,所述第一漏电极连接参考信号线,所述第一栅电极连接读字线;所述...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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