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本发明公开了一种新型压电谐振器结构及其生长方法。一种压电谐振器，包括由下至上依次设置的：硅基底、AlN缓冲层、声波反射层、底电极层、氧化镓层和顶电极层；所述声波反射层由1‑5对低声阻抗层和高声阻抗层重复堆叠而成；所述底电极层设有孔洞，孔洞穿...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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