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本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法,压力传感器芯片包括单晶金刚石基片,所述基片上表面刻蚀有4个凹槽,每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻,4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构,所述基片背面通过刻蚀形成应...该专利属于山东省科学院海洋仪器仪表研究所所有,仅供学习研究参考,未经过山东省科学院海洋仪器仪表研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法,压力传感器芯片包括单晶金刚石基片,所述基片上表面刻蚀有4个凹槽,每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻,4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构,所述基片背面通过刻蚀形成应...