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本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法。长晶依托于长晶装置,包括炉体,炉体内设有用于盛放长晶原料的石墨坩埚,石墨坩埚上方设有籽晶杆,一籽晶托,设于籽晶杆一端,籽晶托上设有碳化硅籽晶,加热装置,用于提供晶...该专利属于北京青禾晶元半导体科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京青禾晶元半导体科技有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法。长晶依托于长晶装置,包括炉体,炉体内设有用于盛放长晶原料的石墨坩埚,石墨坩埚上方设有籽晶杆,一籽晶托,设于籽晶杆一端,籽晶托上设有碳化硅籽晶,加热装置,用于提供晶...