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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；以及沟道提供层，其设置在沟道层之外；其中，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG。...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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