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一种偏振不敏感的薄膜铌酸锂变迹光栅耦合器设计方法技术
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文档序号:39931993
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本发明公开了一种偏振不敏感的薄膜铌酸锂变迹光栅耦合器设计方法。通过粒子群算法逆向设计来优化光栅参数,找到最佳的光栅占空比、占空比变化速度、刻蚀深度和光栅周期的参数组合,使得两个互相正交的偏振态的模式等效折射率相等且同时满足布拉格条件,以实现...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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