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本技术提供了一种用于半导体处理腔的上盖，所述上盖包括：窗口和环绕窗口的外沿，窗口包括窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿连接，窗口边缘区的上表面位于外沿的上下表面之间，外沿与窗口边缘区的上表面之间构成第一凹部，所述外沿具...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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