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一种全芯片光刻负显影仿真方法技术
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文档序号:39901310
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本发明涉及仿真方法技术领域,特别涉及一种全芯片光刻负显影仿真方法,包括以下步骤:构建初始水平集函数,根据负显影光刻胶分布确定初始材料分布函数;设定设计优化目标和轮廓约束,根据所述设计优化目标和所述轮廓约束构建拉初始格朗日函数,并确定更新策略...
该专利属于深圳晶源信息技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳晶源信息技术有限公司授权不得商用。
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