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本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原...
该专利属于佳能株式会社;佳能安内华股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社;佳能安内华股份有限公司授权不得商用。

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