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本发明公开了一种具有金属插入层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括衬底，所述衬底的上方生长有氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；在铁电介质层和氧化物半导体层的上方沉积有金属插入层...
该专利属于之江实验室所有，仅供学习研究参考，未经过之江实验室授权不得商用。

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