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本实用新型公开了一种抗静电的TFT结构，包含衬底，所述的衬底的上表面上设有GE层，所述的GE层的上表面上设有AS层，所述的AS层的上表面上设有静电导流层，所述的静电导流层的上表面上设有SD层，所述的SD层的上表面上设有BP层，所述的BP层的...
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