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本发明涉及提高生长前驱体量的二维过渡金属硫族化合物制备装置，属于二维材料领域，包括管式炉
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该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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