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本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅（ＳｉｘＯｙＮｚ）。本发明通过对标准ＣＭＯＳ工艺中后端的等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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