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本发明涉及光电探测器技术领域，具体公开了一种垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，包括：硅衬底，以及依次形成在硅衬底上的氧化层
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该专利属于无锡芯光互连技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯光互连技术研究院有限公司授权不得商用。

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