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绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：ａ、在半导体衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有Ｎ型顶层单晶硅，在Ｎ型顶层单晶硅上生成表面氧化层，在表面氧化层表面涂光刻胶，在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口；ｂ、腐蚀裸露出的表面氧化层并露出要刻蚀的...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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