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本发明提供了一种钝化接触太阳能电池制备方法，包括：制备底电池；在底电池的背面依次制备隧穿氧化层和掺杂多层非晶硅层，掺杂多层非晶硅层由内至外包括第一掺杂非晶硅层
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该专利属于晶澳（扬州）太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳（扬州）太阳能科技有限公司授权不得商用。

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