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本申请提供了一种碳化硅晶片的预处理方法及碳化硅晶片，包括步骤：使用清洗液对抛光后的碳化硅晶片进行清洗并干燥；对干燥后的所述碳化硅晶片进行气体等离子体处理；对等离子体处理后的所述碳化硅晶片进行轻掺杂磷离子注入；将磷离子注入后的所述碳化硅晶片进...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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