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本发明涉及一种锡掺杂氧化铟（ＩＴＯ）／氧化镓（Ｇａ２Ｏ３）双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明以紫外光学石英玻璃为基板，用射频磁控溅射Ｇａ２Ｏ３陶瓷靶制备Ｇａ２Ｏ３层，厚度３０－６０ｎｍ；用直流磁控溅射ＩＴＯ靶...
该专利属于鲁东大学所有，仅供学习研究参考，未经过鲁东大学授权不得商用。

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