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本申请提供一种锗硅异质结晶体管及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底表面和沟槽中形成有隔离层，隔离层上形成有牺牲层；在牺牲层中形成锗硅层；形成第一介质层；形成第二介质层；形成第一多晶硅层；去除部分第一多晶硅层
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该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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