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本实用新型涉及一种沟槽型半导体整流器。其包括半导体基板、第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区；一个或多个沟槽从所述第一主面延伸进入至第一导电类型漂移区，并在第一导电类型漂移区上部限定出一个或多个台面部，所述台面部的上部设置有第一导电类型注入...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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